Path:OKDatasheet > Semiconductor δελτίο > Hexawave Datasheet
Η λέξη-κλειδί: Hexawave Datasheet, Hexawave Data Sheet, Hexawave Datasheets, Hexawave Inc
Hexawave δελτίο αναζήτησης, Τελευταίες Hexawave Datasheets
Για να βρείτε τις συγκεκριμένες Hexawave Incδελτίο, αναζήτηση okDatasheet από τον αριθμό ή το συστατικό μέρος περιγραφή. Θα σας παρουσιαστεί μια λίστα με όλα τα τμήματα που ταιριάζουν με Hexawave δελτία. Κάνετε κλικ σε οποιαδήποτε απαριθμούνται ηλεκτρονικό εξάρτημα για να δείτε περισσότερες λεπτομέρειες συμπεριλαμβανομένων τυχόν προδιαγραφών
Hexawave επίσημη ιστοσελίδα
Οι Τελευταίες Hexawave δελτίο PDF
| Μέρος αριθ | Εφαρμογή |
|---|---|
| HWS306 | GaAs MMIC SPDT switch |
| HWC34NC | 12 W C-band power FET non-via hole chip |
| HWS301 | GaAs MMIC SPDT switch |
| HWS303 | GaAs MMIC SPDT switch |
| HWL30YRA | 6 W L-band GaAs power FET |
| HWL34NC | 12 W L-band power FET non-via hole chip |
| HWF1687RA | 7.5 W L-band GaAs power FET |
| HWL34YRF | 12 W L-band GaAs power FET |
| HWL26NPA | 2 W L-band GaAs power FET |
| HWF1682RA | 20 W L-band GaAs power FET |
| HWS2352 | GaAs MMIC SPDT terminated switch |
| HWC27YC | 3.5 W C-band power FET via hole chip |
| HWL34YRA | 12 W L-band GaAs power FET |
| HWL30NPA | 2.8 W L-band GaAs power FET |
| HWS305 | GaAs MMIC SPDT switch |
| HWL30YRF | 6 W L-band GaAs power FET |
| HWL27YRA | 3.5 W L-band GaAs power FET |
| HWL27NC | 3.5 W L-band power FET via hole chip |
| HWF1686NC | 3.5 W L-band power FET non-via hole chip |
| HWL26YC | 1.7 W L-band power FET via hole chip |
| HWL23NPB | 0.7 W L-band GaAs power FET |
| HWL36YRA | 15 W L-band GaAs power FET |
| HWL32NPA | 2.8 W L-band GaAs power FET |
| HWS332 | GaAs MMIC SPDT terminated switch |
| HWL32NPA | 2.8 W L-band GaAs power FET |
| HWS332 | GaAs MMIC SPDT terminated switch |
| HWL36YRF | 15 W L-band GaAs power FET |
| HWC27NC | 3.5 W C-band power FET non-via hole chip |
Hexawave Προφίλ
Hexawave, Inc. was established in 1991 with the goal of serving the rapidly growing wireless communication industry. The company is dedicated to developing, manufacturing, and marketing a wide range of GaAs based RF products. Headquartered in Hsinchu Science-Based industrial Park, the high-tech center of Taiwan, Hexawave has a 35,000 square ft. facility, which includes a class 100 GaAs wafer fab line, assembly and testing facility.
Hexawave IncDatasheets Κατάλογος
1 2