Path:OKDatasheet > Semiconductor δελτίο > IR Datasheet > IRFIB6N60A
IRFIB6N60A spec: HEXFET power MOSFET. VDSS = 600V, RDS(on) = 0.75 Ohm, ID = 5.5 A
Path:OKDatasheet > Semiconductor δελτίο > IR Datasheet > IRFIB6N60A
IRFIB6N60A spec: HEXFET power MOSFET. VDSS = 600V, RDS(on) = 0.75 Ohm, ID = 5.5 A
Κατασκευαστής : IR
Πακετάρισμα : TO-220 FULLPAK
Pins : 3
Θερμοκρασία : Min -55 °C | Max 150 °C
Μέγεθος : 163 KB
Εφαρμογή : HEXFET power MOSFET. VDSS = 600V, RDS(on) = 0.75 Ohm, ID = 5.5 A