Path:OKDatasheet > Semiconductor δελτίο > Micro Electronics Datasheet > BD242B
BD242B spec: 4mW NPN silicon epitaxial base power transistor
BD242B Παρόμοια
- BD241
- 4mW NPN silicon epitaxial base power transistor
- BD241A
- 4mW NPN silicon epitaxial base power transistor
- BD241B
- 4mW NPN silicon epitaxial base power transistor
- BD242
- 4mW NPN silicon epitaxial base power transistor
- BD242A
- 4mW NPN silicon epitaxial base power transistor
- BD242B
- 4mW NPN silicon epitaxial base power transistor
BD242B Datasheet και Spec
Κατασκευαστής : Micro Electronics
Πακετάρισμα : TO-220B
Pins : 3
Θερμοκρασία : Min -55 °C | Max 150 °C
Μέγεθος : 107 KB
Εφαρμογή : 4mW NPN silicon epitaxial base power transistor
BD242B PDF Κατεβάστε