IRF830 Παρόμοια

  • IRF830
    • 500 V, Power MOS transistor avalanche energy rated
  • IRF840
    • 500 V, Power MOS transistor avalanche energy rated

IRF830 Datasheet και Spec

Κατασκευαστής : Philips 

Πακετάρισμα : SOT 

Pins : 3 

Θερμοκρασία : Min -55 °C | Max 150 °C

Μέγεθος : 63 KB

Εφαρμογή : 500 V, Power MOS transistor avalanche energy rated 

IRF830 PDF Κατεβάστε