Path:OKDatasheet > Semiconductor δελτίο > Philips Datasheet > PHB6N50E
PHB6N50E spec: 500 V, power MOS transistor avalanche energy rated
PHB6N50E Παρόμοια
- PHB60N06LT
- TrenchMOS transistor. Logic level FET.
- PHB60N06LT
- TrenchMOS transistor Logic level FET
- PHB60N06T
- TrenchMOS transistor Standard level FET
- PHB65N06LT
- TrenchMOS transistor. Logic level FET.
- PHB65N06LT
- TrenchMOS transistor. Logic level FET.
- PHB65N06LT
- Trench transistor Logic level FET
- PHB65N06LT
- TrenchMOS transistor. Logic level FET.
- PHB65N06LT
- TrenchMOS transistor. Logic level FET.
PHB6N50E Datasheet και Spec
Κατασκευαστής : Philips
Πακετάρισμα : SOT
Pins : 3
Θερμοκρασία : Min -55 °C | Max 150 °C
Μέγεθος : 84 KB
Εφαρμογή : 500 V, power MOS transistor avalanche energy rated
PHB6N50E PDF Κατεβάστε