Path:OKDatasheet > Semiconductor δελτίο > Philips Datasheet > PHB6ND50E
PHB6ND50E spec: 500 V, power MOS transistor FREDFET, avalanche energy rated
PHB6ND50E Παρόμοια
- PHB60N06LT
- TrenchMOS transistor. Logic level FET.
- PHB60N06LT
- TrenchMOS transistor Logic level FET
- PHB60N06T
- TrenchMOS transistor Standard level FET
- PHB65N06LT
- TrenchMOS transistor. Logic level FET.
- PHB65N06LT
- TrenchMOS transistor. Logic level FET.
- PHB65N06LT
- Trench transistor Logic level FET
- PHB65N06LT
- TrenchMOS transistor. Logic level FET.
- PHB65N06LT
- TrenchMOS transistor. Logic level FET.
PHB6ND50E Datasheet και Spec
Κατασκευαστής : Philips
Πακετάρισμα : SOT
Pins : 3
Θερμοκρασία : Min -55 °C | Max 150 °C
Μέγεθος : 70 KB
Εφαρμογή : 500 V, power MOS transistor FREDFET, avalanche energy rated
PHB6ND50E PDF Κατεβάστε