PHB78NQ03LT Παρόμοια

  • PHB73N06T
    • 55 V, N-channel enhancement mode field-effect transistor
  • PHB78NQ03LT
    • 25 V, N-channel enhancement mode field-effect transistor
  • PHB78NQ03LT
    • 25 V, N-channel enhancement mode field-effect transistor
  • PHB7N60E
    • 600 V, power MOS transistor avalanche energy rated

PHB78NQ03LT Datasheet και Spec

Κατασκευαστής : Philips 

Πακετάρισμα : SOT 

Pins : 3 

Θερμοκρασία : Min -55 °C | Max 175 °C

Μέγεθος : 321 KB

Εφαρμογή : 25 V, N-channel enhancement mode field-effect transistor 

PHB78NQ03LT PDF Κατεβάστε