Path:OKDatasheet > Semiconductor δελτίο > Philips Datasheet > PHB9N60E
PHB9N60E spec: PowerMOS transistor. Avalanche energy rated.
PHB9N60E Παρόμοια
- PHB96NQ03LT
- 25 V, N-channel enhancement mode field-effect transistor
- PHB98N03LT
- 25 V, N-channel enhancement mode field-effect transistor
- PHB9N60E
- PowerMOS transistor. Avalanche energy rated.
- PHB9NQ20T
- N-channel TrenchMOS transistor
PHB9N60E Datasheet και Spec
Κατασκευαστής : Philips
Πακετάρισμα : SOT404
Pins : 3
Θερμοκρασία : Min -55 °C | Max 150 °C
Μέγεθος : 45 KB
Εφαρμογή : PowerMOS transistor. Avalanche energy rated.
PHB9N60E PDF Κατεβάστε