F1040 spec: 40 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

F1040 Παρόμοια

F1040
- 40 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

F1040 Datasheet και Spec

Κατασκευαστής : Polyfet RF

Πακετάρισμα :

Pins : 8

Θερμοκρασία : Min -65 °C | Max 150 °C

Μέγεθος : 35 KB

Εφαρμογή : 40 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor