okDatasheet.com

F2004 Παρόμοια

  • F2001
    • 2.5 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
  • F2002
    • 5 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
  • F2004
    • 8 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

F2004 Datasheet και Spec

Κατασκευαστής : Polyfet RF 

Πακετάρισμα :  

Pins : 4 

Θερμοκρασία : Min -65 °C | Max 150 °C

Μέγεθος : 40 KB

Εφαρμογή : 8 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor 

F2004 PDF Κατεβάστε